V10 Bonding V-NAND

三星提「CUBE」策略打造下一代3D記憶體與儲存解決方案　曝HBM5已著手開發

【記者蕭文康／台北報導】三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi（崔璋石）今於SEMICON Taiwan 記憶體高峰論壇，以「開啟智慧新維度，以 3D 整合技術驅動 AI 時代」（The New Dimension of Intelligence. Powering the AI Era with 3D Integration）為主題進行演講。三星提出「CUBE」策略，以全面的半導體能力推動3D架構發展，打造下一代3D記憶體與儲存解決方案，包含zHBM及zNAND-O，解決AI資料中心及裝置端AI（on-device AI）不同環境下的瓶頸，大幅提升效能。

2026/09/01 14:39

財經產業脈動

三星發布全新3D記憶體路線圖！效能為HBM5八倍　力爭AI技術領先地位

【編譯張翠蘭／綜合外電】南韓三星電子周二（8/4）發布新一代人工智慧（AI）儲存技術，展示其最先進的記憶體硬體，包括V10 Bonding V-NAND原型晶片，記憶體儲存密度提高約58%，並勾勒出全新3D記憶體路線圖，這款名為zHBM的新系統，把高頻寬記憶體垂直堆疊在AI加速器之上，效能約為下一代HBM5的八倍。三星力圖在長期市場競爭中超越競爭對手SK海力士和美光科技，贏得市場主導地位。